Evde > Ürünler > Kalkınma Kurulu >

Yüksek Hassasiyetli ZED-F9P-05B RTK GPS Geliştirme Kartı, Dahili RM3100 Pusula ve 3.6V~6.0V Voltaj ile

Menşe yeri	ÇİN
Model numarası	ZED-F9P-01B-00

Ürün Ayrıntıları

Tip:

GPS Modülü Geliştirme Kurulu

Menşei ülke:

ÇİN

Marka:

OTW

Yonga seti:

İbloks

Başvuru:

Konumlandırma, Araştırma ve Haritalama, vb.

Çalışma modu:

GPS+GLONASS+GALILEO+BDS+QZSS+SBA'lar

Baud oranı:

4800 bps-921600 bps, varsayılan 38400 bps

NMEA mesajları:

RMC, VTG, GGA, GSA, GSV, GLL

Frekansı Güncelle:

1Hz-20Hz (varsayılan 1Hz)

Gerilim:

3.6V ~ 6.0V (Tipik 5V)

Güç tüketimi:

80 MA @5V

Boyut:

35mm * 35mm * 15mm

Vurgulamak:

Dahili RM3100 Pusulalı RTK GPS Geliştirme Kartı

3.6V~6.0V Voltajlı GNSS GPS Alıcı Kartı

80 mA Güç Tüketimi ZED-F9P-05B Modülü

Ödeme ve Nakliye Şartları

Min sipariş miktarı

Fiyat

$105-115

Ürün Tanımı

ZED-F9P-05B RTK Modülü Yönetim Kurulu Dahili RM3100 Pusula

Yüksek hassasiyetli GNSS/GPS Alıcı Geliştirme Kurulu

Çoklu GNSS desteğine ve anketleme, haritalama ve navigasyon uygulamaları için yüksek hassasiyetli konumlandırma yeteneklerine sahip profesyonel sınıflı ZED-F9P RTK GPS geliştirme kartı.

Tip:GPS Modülü Geliştirme Kurulu

Marka:OTW

Çip seti:UBLOX

Ülke:ÇIN

Temel Özellikler

Çoklu GNSS desteği: GPS+GLONASS+GALILEO+BDS+QZSS+SBAS
Santimetre düzeyinde doğruluk için entegre RTK algoritması
Kompakt boyut: 35mm × 35mm × 15mm
Geniş gerilim aralığı: 3.6V ~ 6.0V (tipik 5V)
Düşük güç tüketimi: 80 mA @5V
Yüksek güncelleme hızı: 1Hz-20Hz ( Varsayılan 1Hz)
Aşırı koşullarda sağlam performans (-40 °C'den 85 °C'ye kadar)

Teknik özellikler

Parametreler	Spesifikasyon
Alıcı Tipi	GPS: L1C/A L2C L1OF L2OF Galileo: E1-B/C E5b BeiDou: B1I B2I QZSS: L1C/A L2C SBAS: WAAS, EGNOS, MSAS, GAGAN ve SouthPAN
Doğruluk	0.01 m + 1 ppm CEP
Başlama Saati	Soğuk başlangıç: Ortalama 24 saniye Sıcak başlangıç: Ortalama 2 saniye
Duyarlılık	Takip: -167dbm. Alıntı: -160 dBm. Soğuk patlama: -148dBm Sıcak başlangıç: -157 dBm
Çalışma Sınırları	Maksimum yüksekliği: 50000m Maksimum Hız: 500 m/s En yüksek hızlanma: ≤4G
Çevre	Çalışma sıcaklığı: -40°C - 85°C Depolama sıcaklığı: -40°C - 105°C Nem: 5% ila 95% yoğunlaşmaz